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2017
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MOVCD机钨钼零件
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金属有机化学气相沉积(MOCVD)
金属有机物化学气相沉积(简称MOCVD)是技术生长III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与V族的氢化物(如NH3、PH3、AsH3)混合，通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。
LED的发光核心是一种称为外延片(Epitaxial Slice)的复合材料，由于Mocvd技术在外延片上的成功运用，使得此种设备使用量迅速增加。
由于MOCVD设备工作时工作温度高于2000℃，钨钼也是该设备部分组件的材料。
